IRFB4227PBF現貨參數應用及PDF資料下載

IRFB4227PBF應用
  IRFB4227PBF是HEXFET功率MOSFET，專門為等離子體顯示板中能量回收開關的應用而設計。這種MOSFET采用最新處理技術，以實現低導通電阻和低脈沖額定值。這種MOSFET的附加特性是175℃工作結溫度和高重復峰值電流能力。這些特性結合在一起，使這種MOSFET成為一種高效、耐用和可靠的PDP驅動設備。
 
IRFB4227PBF特性
先進工藝技術
優化的關鍵參數
低導通柵極電荷，快速響應
高重復峰值電流能力，可靠運行
短下降和上升時間，快速切換
175℃工作結溫度，提高耐用性
魯棒性和可靠性的重復雪崩能力
D類音頻放大器300W-500W（半橋）
 
IRFB4227PBF基本參數
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS: 符合
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續漏極電流:65 A
Rds On-漏源導通電阻:24 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:±30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Qg-柵極電荷:70 nC
工作溫度范圍:- 40℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:330 W
尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
正向跨導-最小值:49 S
下降時間:31 ns
上升時間:20 ns
典型關閉延遲時間:21 ns
典型接通延遲時間:33 ns
單位重量:6 g
 
IRFB4227PBF電力特性

 
IRFB4227PBF特性曲線圖  
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