N溝道增強型3A/1700V高壓MOSFET

  海飛樂3N170FA9，硅N溝道增強型3A/1700V高壓MOSFET，采用自對準平面技術，降低導通損耗，改善開關性能，提高雪崩能量，具有開關速度高、功耗低、熱穩定性好、工藝簡單等特點。該MOSFET管可用于各種功率開關電路，開關電源、驅動馬達、家用電器等領域。使系統小型化，效率更高。包裝形式為TO-220F，符合RoHS標準。
 
3N170FA9特點：
快速切換
低導通電阻
門控電荷低，開關損耗小
快恢復體二極管
100%單脈沖雪崩能量試驗
 
3N170FA9應用：
適配器
充電器
SMPS備用電源
 
3N170FA9絕對值參數  
N溝道增強型3A/1700V高壓MOSFET電參數  
N溝道增強型3A/1700V高壓MOSFET特性曲線圖  
使用MOSFET注意事項
  MOSFET在關斷瞬間，會承受到最大的電壓沖擊，這個最大電壓跟負載有很大關系：如果是阻性負載，那就是來自VCC端的電壓，但還需要考慮電源本身的質量，如果電源質量不佳，需要在前級加些必要的保護措施；如果是感性負載，那承受的電壓會大不少，因為電感在關斷瞬間會產生感生電動勢（電磁感應定律），其方向與VCC方向相同（楞次定律），承受的最大電壓為VCC與感生電動勢之和；如果是變壓器負載的話，在感性負載基礎上還需要再加上漏感引起的感應電動勢。
 
 
  海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優質、高效的產品，和國外產品相比，我司的該款產品具有貨期短、性價比高等優點。更多相關產品資料請聯系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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